色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

SI4888DY-E3

廠家：
  Vishay/Siliconix
封裝：
 SO-8
數量：
 6201  
說明：
 MOSFET 30V 16A 3.5W
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
暫無電子元件圖

SI4888DY-E3 PDF參數資料

PDF點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

典型關閉延遲時間：44 ns
商標名：TrenchFET
上升時間：10 ns
功率耗散：3.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：10 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：SO-8
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：7 mOhms
漏極連續電流：16 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SI4888DY-E3的詳細信息，包括SI4888DY-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

相近型號推薦

IC電子元件郵購步驟

最新產品列表 IC
主站蜘蛛池模板： 沙雅县| 和田县| 铜陵市| 滨海县| 丽江市| 垦利县| 平原县| 富平县| 西吉县| 子洲县| 卫辉市| 星座| 丹东市| 鄂州市| 中西区| 封丘县| 同心县| 廉江市| 金山区| 怀集县| 延寿县| 涿州市| 高青县| 麻城市| 宣武区| 商城县| 桑日县| 罗源县| 甘谷县| 盘锦市| 江西省| 新河县| 石林| 五家渠市| 于都县| 望城县| 依兰县| 五家渠市| 南昌县| 石家庄市| 葵青区|