Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計算機(jī)磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IRFI624G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 3.4 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI624GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 3.4 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI630G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI630GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 2,376 | MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI634G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI634GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 1,862 | MOSFET N-Chan 250V 5.6 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI640G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI640GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 1,915 | MOSFET N-Chan 200V 9.8 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI644G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI644GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 4,909 | MOSFET N-Chan 250V 7.9 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：250 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI720G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 400V 2.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI720GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 400V 2.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI730G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 400V 3.7 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI730GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 1,275 | MOSFET N-Chan 400V 3.7 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI734GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET N-Chan 450V 3.4 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：450 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI740G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET N-Chan 400V 5.4 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI740GLC | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | MOSFET N-Chan 400V 5.7 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFI740GLCPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 全封裝，隔離接片 | 678 | MOSFET N-Chan 400V 5.7 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFI740GPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 5,483 | MOSFET N-Chan 400V 5.4 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：400 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFI744G | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 450V 4.9 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：450 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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