色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > IRFI630G

IRFI630G

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-220-3
數(shù)量：: 3222
說明：: MOSFET N-Chan 200V 5.9 Amp

一、本商品被瀏覽0次.

IRFI630G PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：39 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
上升時間：28 ns
功率耗散：35 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：20 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220 Full-Pak
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：0.4 Ohms
漏極連續(xù)電流：5.9 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：200 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是IRFI630G的詳細(xì)信息，包括IRFI630G廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：