Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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IRFBC40APBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40AS | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40ASPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 464 | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40ASTRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40ASTRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 800 | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40ASTRRPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40L | Vishay/Siliconix | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40LC | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40LCPBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 20,090 | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40LCSPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏... | ||||||
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IRFBC40LPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3 | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40PBF | Vishay/Siliconix | TO-220AB | 2,336 | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40SPBF | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40STRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBC40STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 600V 6.2 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBE20 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBE20PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 776 | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBE30 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET 800V Single N-Channel HEXFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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IRFBE30L | Vishay/Siliconix | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 800V 4.1 Amp | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏... | ||||||
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