Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉(zhuǎn)換計算機(jī)、手機(jī)和通信基礎(chǔ)架構(gòu)中的電源，也可用計算機(jī)磁盤驅(qū)動器和汽車系統(tǒng)中的運(yùn)動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關(guān)IC用于對儀表儀器和多種工業(yè)產(chǎn)品中的模擬信號進(jìn)行感應(yīng)、開關(guān)和路徑設(shè)定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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2N6661-E3 | Vishay/Siliconix | TO-39 | MOSFET 90V 0.9A | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：90 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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3N163 | Vishay/Siliconix | TO-72 | MOSFET 40V 5mA 375mW | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 70 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，... | ||||||
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3N163-E3 | Vishay/Siliconix | TO-72 | MOSFET 40V 5mA 375mW | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極... | ||||||
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3N164 | Vishay/Siliconix | TO-72 | MOSFET 30V 3mA 375mW | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：- 70 V，閘/源擊穿電壓：- 3.5 V，漏... | ||||||
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3N164-E3 | Vishay/Siliconix | TO-206AF-4 | MOSFET 30V 3mA 375mW | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：P-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極... | ||||||
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IRL510 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510L | Vishay/Siliconix | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 14,511 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510S | Vishay/Siliconix | D2PAK（TO-263） | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510SPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510STRL | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510STRLPBF | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | 800 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL510STRRPBF | Vishay/Siliconix | SMD-220 | MOSFET N-Chan 100V 5.6 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL520 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL520LPBF | Vishay/Siliconix | TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA | MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL520PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 9,040 | MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL520S | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 9.2 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL530 | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | MOSFET N-Chan 100V 15 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL530PBF | Vishay/Siliconix | TO-220-3 | 12,824 | MOSFET N-Chan 100V 15 Amp | |
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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IRL530STRR | Vishay/Siliconix | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB | MOSFET N-Chan 100V 15 Amp | ||
| 參數(shù)：制造商：Vishay，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：否，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 10 V，漏... | ||||||
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