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中文參數如下：
典型關閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數量：200
上升時間：13 ns
功率耗散：375 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-72
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：250 Ohms
漏極連續電流：- 5 mA
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：- 70 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay
以上是3N163的詳細信息，包括3N163廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
