Vishay/Siliconix
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Vishay/Siliconix功率MOSFET晶體管和集成電路 (IC)用于管理和轉換計算機、手機和通信基礎架構中的電源，也可用計算機磁盤驅動器和汽車系統中的運動控制。 Vishay/Siliconix模擬開關IC用于對儀表儀器和多種工業產品中的模擬信號進行感應、開關和路徑設定。 |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數量 | 描述 | PDF資料 |
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SIR438DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 261 | MOSFET 25V 60A 83W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR440DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 9,803 | MOSFET 20V 60A 104W 1.55mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR460DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 185 | MOSFET 30V 40A 48W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR462DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 11,970 | MOSFET 30V 30A 41.7W 7.9mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR464DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 50A 69W 3.1mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR466DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 1,500 | MOSFET 30V 40A 54W 3.5mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR468DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 40A 50W 5.7mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR470DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 2,042 | MOSFET 40V 60A 104W 2.3mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR472DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 20A 29.8W 12mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR474DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 618 | MOSFET 30V 20A 29.8W | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR476DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 25V 60A 104W 1.7mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：25 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR482DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 30V 35A N-CH MOSFET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，漏極連續電流：35 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0... | ||||||
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SIR484DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 20A 29.8W | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR492DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 12V 40A 36W 3.8mohm @ 4.5V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 8 V，漏極連... | ||||||
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SIR494DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 11 | MOSFET 12V 60A 104W 1.2mohm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：12 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR496DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 20V 35A 27.7W 4.2mohm @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：20 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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SIR640DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 1.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續電流：60 A，電阻... | ||||||
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SIR642DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 40V 60A 83W 2.4mohms @ 10V | ||
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：40 V，閘/源擊穿電壓：20 V，漏極連續電流... | ||||||
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SIR662DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET 60V 2.7mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET | ||
| 參數：制造商：Vishay，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，漏極連續電流：60 A，電阻汲極/源極 RDS（導通）：2.7... | ||||||
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SIR698DP-T1-GE3 | Vishay/Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 11,257 | MOSFET 100V 7.5A 23W 195mOhm @ 10V | |
| 參數：制造商：Vishay，產品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，漏極連續電流：7.5 A，電阻汲極/... | ||||||
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