Ixys
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IXYS Corporation is a global supplier of power management semiconductors with a comprehensive range of Power MOSFET, IGBT, bipolar, and mixed-signal IC solutions that provide improved efficiency and reduced energy costs in a wide range of power system applications. |
| 圖片 | 型號 | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IXFN300N10P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET Polar Power MOSFET HiPerFET | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，包裝形式：Tube，工廠包裝數(shù)量：30，... | ||||||
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IXFN30N110P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 30 Amps 1100V 0.3600 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：25 A，電阻... | ||||||
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IXFN30N120P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 30 Amps 1200V 0.35 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻... | ||||||
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IXFN32N100P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 32 Amps 1000V 0.32 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：27 A，電阻... | ||||||
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IXFN32N100Q3 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 1000V/28A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：30 V，漏極連續(xù)電流：28 A，電阻汲極/源... | ||||||
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IXFN32N120 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 32 Amps 1200V 0.550 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：32 A，電阻... | ||||||
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IXFN32N120P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 32 Amps 1200V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1200 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：32 A，電阻... | ||||||
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IXFN32N60 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 32 Amps 600V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：32 A，電阻汲... | ||||||
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IXFN32N80P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 29 Amps 800V 0.27 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：29 A，電阻汲... | ||||||
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IXFN340N06 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 340 Amps 60V 0.003 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：340 A，電阻汲... | ||||||
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IXFN340N07 | Ixys | SOT-227B | MOSFET HiperFET Pwr MOSFET 70V, 340A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：70 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)... | ||||||
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IXFN34N100 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 34 Amps 1000V 0.28 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：34 A，電阻... | ||||||
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IXFN34N80 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 34 Amps 800V 0.24 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：34 A，電阻汲... | ||||||
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IXFN360N10T | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 360 Amps 100V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.6 mOhms，配置：Single，最大工作溫度：+ 175... | ||||||
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IXFN36N100 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 1KV 36A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極... | ||||||
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IXFN36N110P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 36 Amps 1100V 0.2400 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：36 A，電阻... | ||||||
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IXFN36N60 | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 600V 36A | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：600 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連... | ||||||
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IXFN38N100P | Ixys | SOT-227-4，miniBLOC | MOSFET 38 Amps 1000V | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：38 A，電阻... | ||||||
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IXFN38N100Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：1000 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：38 A，電阻... | ||||||
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IXFN38N80Q2 | Ixys | SOT-227B | MOSFET 38 Amps 800V 0.22 Rds | ||
| 參數(shù)：制造商：IXYS，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：800 V，閘/源擊穿電壓：+/- 30 V，漏極連續(xù)電流：38 A，電阻汲... | ||||||
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