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IXFN38N100Q2

廠家:
  Ixys
封裝:
 SOT-227B
數量:
 5103  
說明:
 MOSFET 38 Amps 1000V 0.25 Rds
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IXFN38N100Q2-SOT-227B圖片

IXFN38N100Q2 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:57 ns
工廠包裝數量:10
上升時間:28 ns
功率耗散:890 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:15 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:SOT-227B
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Dual Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.25 Ohms
漏極連續電流:38 A
閘/源擊穿電壓:+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓:1000 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:IXYS

以上是IXFN38N100Q2的詳細信息,包括IXFN38N100Q2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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