Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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IPD230N06N G | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OptiMOS PWR TRANST 60V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD250N06N3 G | Infineon Technologies | TO-252 | 1742 | MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD25CN10N G | Infineon Technologies | TO-252 | 1828 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 100V 35A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：100 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V... | ||||||
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IPD25CNE8N G | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | MOSFET OptiMOS 2 PWR TRANST 85V 35A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：85 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD25N06S240 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：25 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD25N06S2-40 | Infineon Technologies | TO-252 | 12224 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 29A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD25N06S4L-30 | Infineon Technologies | PG-TO252-3 | 2500 | MOSFET N-Channel 60V MOSFET | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：60 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，漏極連續(xù)電流：25 A，... | ||||||
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IPD26N06S2L35 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：26 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD26N06S2L-35 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 55V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N03S2L07 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD30N03S2L-07 | Infineon Technologies | TO-252 | 75 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 6.7mOhm | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N03S2L10 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD30N03S2L-10 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 10mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N03S2L20 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD30N03S2L-20 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET OPTIMOS PWR-TRANS N-CH 30V 30A 20mOhms | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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IPD30N03S4L-09 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET N-Channel enh MOSFET 30V | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD30N03S4L14 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：1 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極 RDS（... | ||||||
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IPD30N03S4L-14 | Infineon Technologies | TO-252 | 1876 | MOSFET OPTIMOS T2 N-CH 30V 30A 13.6mOhms | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：30 V，閘/源擊穿電壓：+/- 16 V，... | ||||||
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IPD30N06S215 | Infineon Technologies | TO-252 | MOSFET | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，漏極連續(xù)電流：30 A，電阻汲極/源極... | ||||||
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IPD30N06S2-15 | Infineon Technologies | TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63 | MOSFET N-CH 55V 30A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：MOSFET，RoHS：是，晶體管極性：N-Channel，汲極/源極擊穿電壓：55 V，閘/源擊穿電壓：+/- 20 V，... | ||||||
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