Infineon Technologies
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| 圖片 | 型號(hào) | 品牌 | 封裝 | 數(shù)量 | 描述 | PDF資料 |
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FF600R12IE4 | Infineon Technologies | PRIME2 | IGBT 模塊 IGBT-MODULE | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF600R12IP4 | Infineon Technologies | PRIME2 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 600A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF600R12IS4F | Infineon Technologies | 模塊 | IGBT 模塊 IGBT 1200V 600A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF600R12KE3 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1200V 600A DUAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
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FF600R12KF4 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1200V 600A DUAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
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FF600R12KL4C | Infineon Technologies | IHM | 1 | IGBT 模塊 1200V 600A DUAL | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
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FF600R12ME4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 600A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF600R16KF4 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 1600V 600A DUAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
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FF600R17KE3 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 900A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Dual Collector Dual Emitter，集電極—發(fā)射極... | ||||||
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FF600R17KE3_B2 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 950A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual Dual Collector Dual Emitter，集電極—發(fā)射極... | ||||||
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FF600R17KF4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，工廠包裝數(shù)量：2，... | ||||||
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FF600R17KF6C_B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 975A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，集電極—射極飽和電壓：... | ||||||
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FF600R17KF6C_B4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF600R17KF6C-B2 | Infineon Technologies | IHM | IGBT 模塊 1700V 600A DUAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
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FF650R17IE4 | Infineon Technologies | PRIME2 | IGBT 模塊 N-CH 1.7KV 930A | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1700 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF650R17IE4D_B2 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1700V 650A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF75R12RT4 | Infineon Technologies | IGBT 模塊 IGBT 1200V 75A | |||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，... | ||||||
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FF75R12YT3 | Infineon Technologies | EASY2 | 8 | IGBT 模塊 N-CH 1.2KV 100A | |
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO：1200 V，在25 C的連續(xù)集電極... | ||||||
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FF800R12KE3 | Infineon Technologies | IHM130 | IGBT 模塊 1200V 800A DUAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
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FF800R12KF4 | Infineon Technologies | 模塊 | IGBT 模塊 1200V 800A DUAL | ||
| 參數(shù)：制造商：Infineon，產(chǎn)品種類：IGBT 模塊，RoHS：否，產(chǎn)品：IGBT Silicon Modules，配置：Dual，集電極—發(fā)射極最大電壓 VCE... | ||||||
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