色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > FF800R12KF4

FF800R12KF4

廠家：: Infineon Technologies
封裝：: 模塊
數量：: 1314
說明：: IGBT 模塊 1200V 800A DUAL

一、本商品被瀏覽0次.

FF800R12KF4 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：8
安裝風格：Screw
最小工作溫度：- 40 C
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
封裝形式：IHM
最大工作溫度：+ 125 C
功率耗散：5 KW
柵極—射極漏泄電流：400 nA
在25 C的連續集電極電流：800 A
集電極—射極飽和電壓：2.7 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Dual
產品：IGBT Silicon Modules
RoHS：否
產品種類：IGBT 模塊
制造商：Infineon

以上是FF800R12KF4的詳細信息，包括FF800R12KF4廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：

FF225R17ME7B11BPSA1

FF450R07ME4B11BPSA1

F3L11MR12W2M1B74BOMA1