| 圖片 |
型號 |
品牌 |
封裝 |
數量 |
描述 |
PDF資料 |
|---|
|
GT10G131(TE12L,Q) |
Toshiba |
8-SOP（5.5x6.0） |
|
IGBT 晶體管 IGBT, 400V, 200A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，工廠包裝數量：3000，... |
|
GT10J303(Q) |
Toshiba |
TO-220(NIS)-3 |
|
IGBT 晶體管 IGBT, 600V, 10A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：20 V，最大工作溫度：+ 150 C，封裝形式... |
|
GT10J312(Q) |
Toshiba |
TO-220SM |
|
IGBT 晶體管 IGBT, 600V, 10A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：20 V，最大工作溫度：+ 150 C，封裝形式... |
|
|
GT10J321(Q) |
Toshiba |
TO-220(NIS)-3 |
|
IGBT 晶體管 IGBT, 600V, 10A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：25 V，最大工作溫度：+ 150 C，封裝形式... |
|
|
GT10Q101(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
|
IGBT 晶體管 1200V/10A DIS |
|
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發射極最大電壓：+/... |
|
|
GT10Q301(Q) |
Toshiba |
|
|
IGBT 晶體管 IGBT, 1200V, 10A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，工廠包裝數量：50，... |
|
|
GT15J301(Q) |
Toshiba |
TO-220(NIS)-3 |
|
IGBT 晶體管 IGBT, 600V, 15A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V，最大工作溫度：+ 150 C，... |
|
|
GT15J311(Q) |
Toshiba |
TO-220FL/SM-3 |
|
IGBT 晶體管 IGBT, 600V, 15A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：20 V，最大工作溫度：+ 150 C，封裝形式... |
|
|
GT15J321(Q) |
Toshiba |
TO-220 NIS |
166 |
IGBT 晶體管 600V/15A DIS+FRD |
|
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：+/-... |
|
|
GT15J331(TE24L,Q) |
Toshiba |
TO-220 SM |
|
IGBT 晶體管 IGBT 600V 15A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，封裝形式：TO-220 SM，安裝風格：Through Hole，工廠包裝數量：1000，... |
|
|
GT15Q102(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
|
IGBT 晶體管 1200V/15A DIS |
|
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發射極最大電壓：+/... |
|
|
GT20J321(Q) |
Toshiba |
TO-220(NIS)-3 |
|
IGBT 晶體管 IGBT, 600V, 20A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：20 V，最大工作溫度：+ 150 C，封裝形式... |
|
|
GT25G101(Q) |
Toshiba |
TO-220 |
|
IGBT 晶體管 IGBT 400V 170A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：400 V，柵極/發射極最大電壓：25 ... |
|
|
GT25Q102(Q) |
Toshiba |
|
|
IGBT 晶體管 IGBT, 1200V, 25A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，工廠包裝數量：100，... |
|
|
GT25Q301(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
12 |
IGBT 晶體管 High Power Motor N Channel IGBT 2.7V |
|
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發射極最大電壓：+/... |
|
GT30J121(Q) |
Toshiba |
TO-3P（N） |
4 |
IGBT 晶體管 600V/30A DIS |
|
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：+/-... |
|
|
GT40Q323(Q) |
Toshiba |
TO-3PN-3 |
|
IGBT 晶體管 IGBT 1200V 39A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V，柵極/發射極最大電壓：+/... |
|
|
GT40T301(Q) |
Toshiba |
TO-3P(LH)-3 |
|
IGBT 晶體管 IGBT 1500V 40A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：1500 V，柵極/發射極最大電壓：25... |
|
|
GT50J102(Q) |
Toshiba |
TO-3P |
|
IGBT 晶體管 IGBT 600V 50A |
|
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：20 ... |
|
|
GT50J121(Q) |
Toshiba |
TO-3P（LH） |
|
IGBT 晶體管 600V/50A DIS |
|
| 參數：制造商：Toshiba，產品種類：IGBT 晶體管，RoHS：是，配置：Single，集電極—發射極最大電壓 VCEO：600 V，柵極/發射極最大電壓：+/-... |
