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GT10Q101(Q)

廠家：
  Toshiba
封裝：
 TO-3P
數量：
 954  
說明：
 IGBT 晶體管 1200V/10A DIS
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GT10Q101(Q) PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：50
安裝風格：Through Hole
最小工作溫度：- 55 C
集電極最大連續電流 Ic：10 A
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-3P
最大工作溫度：+ 150 C
柵極/發射極最大電壓：+/- 20 V
集電極—發射極最大電壓 VCEO：1200 V
配置：Single
RoHS：是
產品種類：IGBT 晶體管
制造商：Toshiba

以上是GT10Q101(Q)的詳細信息，包括GT10Q101(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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