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WND08P16DJ

廠家：: WeEn Semiconductors
封裝：: DPAK
數(shù)量：: 2016
說明：: DIODE GEN PURP 1.6KV 8A DPAK

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WND08P16DJ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
封裝工作溫度 - 結(jié)封裝：DPAK
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
安裝類型：表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容：-
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏：50 μA @ 1600 V
反向恢復(fù)時間 (trr)：-
速度：標(biāo)準(zhǔn)恢復(fù) >500ns，> 200mA（Io）
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf)：1.25 V @ 8 A
電流 - 平均整流 (Io)：8A
電壓 - DC 反向 (Vr)（最大值）：1600 V
技術(shù)：標(biāo)準(zhǔn)
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：WeEn Semiconductors

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