色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 集成電路 - IC > 內存 > 電可擦除可編程只讀存儲器 > W631GG8NB09J TR

W631GG8NB09J TR

廠家：: Winbond Electronics
封裝：: 78-VFBGA（8x10.5）
數量：: 6930
說明：: IC DRAM 1GBIT SSTL 15 78VFBGA

一、本商品被瀏覽0次.

W631GG8NB09J TR PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝：78-VFBGA（8x10.5）
封裝/外殼：78-VFBGA
安裝類型：表面貼裝型
工作溫度：-40°C ~ 105°C（TC）
電壓 - 供電：1.425V ~ 1.575V
訪問時間：20 ns
寫周期時間 - 字，頁：15ns
時鐘頻率：1.066 GHz
存儲器接口：SSTL_15
存儲器組織：128M x 8
存儲容量：1Gb
技術：SDRAM - DDR3
存儲器格式：DRAM
存儲器類型：易失
產品狀態：在售
包裝：-
系列：卷帶（TR）
品牌：Winbond Electronics

以上是W631GG8NB09J TR的詳細信息，包括W631GG8NB09J TR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他內存產品：

NVRAM 閃存動態隨機存取存儲器可擦除可編程ROM F-RAM

電可擦除可編程只讀存儲器最新產品：

MT40A1G16KD-062E:E TR

MTFC64GAPALHT-AIT

MT40A2G8JC-062E:E TR

MT40A1G16KD-062E:E

MT62F1536M64D8CH-036 WT:A TR

MT40A2G8JC-062E:E

MTFC32GAPALHT-AAT

MTFC16GAPALGT-AIT