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中文參數如下:
上升時間:351 ns
功率耗散:568 W
柵極電荷 Qg:250 nC
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :93 S
下降時間:335 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:SOT-227
安裝風格:SMD/SMT
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0054 Ohms
漏極連續電流:190 A
閘/源擊穿電壓:20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Vishay
以上是VS-FB190SA10的詳細信息,包括VS-FB190SA10廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!