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VS-3C10ET07S2L-M3

廠家:
  Vishay General Semiconductor - Diodes Division
封裝:
 TO-263AB(D2PAK)
數量:
 8762  
說明:
 650 V POWER SIC GEN 3 MERGED PIN
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VS-3C10ET07S2L-M3-TO-263AB(D2PAK)圖片

VS-3C10ET07S2L-M3 PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:TO-263AB(D2PAK)
封裝/外殼:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
安裝類型:表面貼裝型
不同?Vr、F 時電容:445pF @ 1V, 1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:55 μA @ 650 V
反向恢復時間 (trr):0 ns
速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.5 V @ 10 A
電流 - 平均整流 (Io):10A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky
產品狀態:在售
包裝:-
系列:卷帶(TR),剪切帶(CT),Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌:Vishay General Semiconductor - Diodes Division

以上是VS-3C10ET07S2L-M3的詳細信息,包括VS-3C10ET07S2L-M3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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