色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > VP0610T

VP0610T

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-236-3
數量：: 2439
說明：: MOSFET 60V 0.12A 0.36W

一、本商品被瀏覽0次.

VP0610T PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：

工廠包裝數量：1000
功率耗散：360 mW
最小工作溫度：- 55 C
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-236-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：10000 mOhms
漏極連續電流：0.12 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：P-Channel
RoHS：否
制造商：Vishay

以上是VP0610T的詳細信息，包括VP0610T廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：