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VNN1NV04PTR-E

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-261-4，TO-261AA
數(shù)量：: 7632
說明：: MOSFET 40V 1.7A OMNIFET

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VNN1NV04PTR-E PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

上升時間：170 ns
功率耗散：7 W
柵極電荷 Qg：5 nC
正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）：2 S
下降時間：200 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：SOT-223
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：250 mOhms
漏極連續(xù)電流：30 uA
汲極/源極擊穿電壓：45 V
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是VNN1NV04PTR-E的詳細(xì)信息，包括VNN1NV04PTR-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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