色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

VND10B-12-E

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 Pentawatt-5(直引線,交錯配接深度)
數(shù)量:
 846  
說明:
 電源開關(guān) IC - 配電 Dbl CH hiside smart pwr solid state
掃一掃加微信詢價 QQ咨詢價格   在線詢價
一、本商品被瀏覽0次.   
VND10B-12-E-Pentawatt-5(直引線,交錯配接深度)圖片

VND10B-12-E PDF參數(shù)資料

PDF點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下:

包裝形式:Tube
輸出電流:14 A
最小工作溫度:- 40 C
最大功率耗散:75000 mW
封裝形式:PENTAWATT V-5
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
開啟電阻(最大值):65 mOhms
輸出端數(shù)量:2
RoHS:是
產(chǎn)品種類:電源開關(guān) IC - 配電
制造商:STMicroelectronics

以上是VND10B-12-E的詳細信息,包括VND10B-12-E廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

相近型號推薦

  • VND10B-E圖片

    VND10B-E

    固態(tài)繼電器-PCB安裝 40V 3.4A Hi-Side SSR

  • VND10BSP圖片

    VND10BSP

    電源開關(guān) IC - 配電 40V 3.4A Hi-Side SSR

  • VND10BSP13TR圖片

    VND10BSP13TR

    電源開關(guān) IC - 配電 40V 3.4A Hi-Side SSR

  • VND10BSP-E圖片

    VND10BSP-E

    電源開關(guān) IC - 配電 40V 3.4A Hi-Side SSR

  • VND10BSPTR-E圖片

    VND10BSPTR-E

    電源開關(guān) IC - 配電 DOUBLE Ch HiSide SmartPwr SOLID STATE

  • VND10N06圖片

    VND10N06

    電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET

  • VND10N06-1圖片

    VND10N06-1

    電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET

  • VND10N0613TR圖片

    VND10N0613TR

    電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFET POWER MOSFET

  • VND10N06-1-E圖片

    VND10N06-1-E

    電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET

  • VND10N06-E圖片

    VND10N06-E

    電源開關(guān) IC - 配電 N-Ch 60V 10A OmniFET

  • VND10N06TR-E圖片

    VND10N06TR-E

    電源開關(guān) IC - 配電 OMNIFETII FULLY AUTO PROTECT Pwr MOSFET

IC電子元件郵購步驟

最新產(chǎn)品列表 IC
主站蜘蛛池模板: 郸城县| 南皮县| 华蓥市| 顺义区| 长治市| 焉耆| 罗源县| 东辽县| 舒兰市| 太康县| 布拖县| 日土县| 那坡县| 成安县| 伊宁县| 宣城市| 麻江县| 颍上县| 繁峙县| 常州市| 随州市| 长治市| 庆云县| 兴城市| 绿春县| 新竹县| 潼南县| 洛浦县| 彩票| 台东市| 遵化市| 沽源县| 秦安县| 东城区| 邹平县| 印江| 泉州市| 出国| 廉江市| 二连浩特市| 县级市|