色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > VMM650-01F

VMM650-01F

廠家：: Ixys
封裝：: Y3-Li
數(shù)量：: 1818
說明：: MOSFET 650 Amps 100V

一、本商品被瀏覽0次.

VMM650-01F PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

典型關(guān)閉延遲時間：400 ns
工廠包裝數(shù)量：2
上升時間：250 ns
最小工作溫度：- 40 C
下降時間：250 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：Y3-Li-6
安裝風(fēng)格：Screw
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Dual Common Drain Source
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：2.2 mOhms
漏極連續(xù)電流：680 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：IXYS

以上是VMM650-01F的詳細(xì)信息，包括VMM650-01F廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：

IAUC120N04S6N013ATMA1