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中文參數如下：
典型關閉延遲時間：80 ns
工廠包裝數量：3000
上升時間：35 ns
功率耗散：150 mW
下降時間：35 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：UMT-6
安裝風格：SMD/SMT
配置：Dual
電阻汲極/源極 RDS（導通）：8000 mOhms at 4 V
漏極連續電流：0.1 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：30 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：ROHM Semiconductor
以上是UM6K1NTN的詳細信息，包括UM6K1NTN廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
