色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導(dǎo)體 > 分離式半導(dǎo)體 > 晶體管 > MOSFET > TSM2N7000CT

TSM2N7000CT

廠家：: Taiwan Semiconductor
封裝：: TO-92-3
數(shù)量：: 2187
說明：: MOSFET 60V 0.2A 0.35W

一、本商品被瀏覽0次.

TSM2N7000CT PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：

零件號別名：A3
工廠包裝數(shù)量：2000
上升時間：10 ns
功率耗散：350 mW
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：10 ns
包裝形式：Ammo
封裝形式：TO-92-3
安裝風(fēng)格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）：5300 mOhms
漏極連續(xù)電流：0.2 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：60 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Taiwan Semiconductor

以上是TSM2N7000CT的詳細(xì)信息，包括TSM2N7000CT廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產(chǎn)品：

達(dá)林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關(guān)晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產(chǎn)品：