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TRS12E65F,S1Q

廠家:
  Toshiba Semiconductor and Storage
封裝:
 TO-220-2L
數量:
 423  
說明:
 DIODE SIL CARB 650V 12A TO220-2L
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TRS12E65F,S1Q-TO-220-2L圖片

TRS12E65F,S1Q PDF參數資料

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中文參數如下:
封裝工作溫度 - 結封裝:TO-220-2L
封裝/外殼:TO-220-2
安裝類型:通孔
不同?Vr、F 時電容:65pF @ 650V,1MHz
不同 Vr 時電流 - 反向泄漏:90 μA @ 650 V
反向恢復時間 (trr):0 ns
速度:無恢復時間 > 500mA(Io)
不同 If 時電壓 - 正向 (Vf):1.7 V @ 12 A
電流 - 平均整流 (Io):12A
電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):650 V
技術:SiC(Silicon Carbide)Schottky
產品狀態:在售
包裝:-
系列:管件
品牌:Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TRS12E65F,S1Q的詳細信息,包括TRS12E65F,S1Q廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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