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TPW3R70APL,L1Q

廠家：: Toshiba Semiconductor and Storage
封裝：: 8-DSOP Advance
數(shù)量：: 3303
說明：: PB-F POWER MOSFET TRANSISTOR DSO

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TPW3R70APL,L1Q PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：
：175°C
功率耗散（最大值）：960mW（Ta），170W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：6300 pF @ 50 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：67 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（最大值）：3.7mOhm @ 45A，10V
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：90A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：100 V
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產(chǎn)品狀態(tài)：在售
包裝：U-MOSIX-H
系列：卷帶（TR）
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage

以上是TPW3R70APL,L1Q的詳細(xì)信息，包括TPW3R70APL,L1Q廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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