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TLE2161IDR

廠家：: Texas Instruments
封裝：: 8-SOIC
數量：: 6831
說明：: 運算放大器 - 運放 JFET-Inp Hi-Out-Drv Lo-Pwr Decompensated

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TLE2161IDR PDF參數資料

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中文參數如下：

電壓增益 dB：98.06 dB
技術：BiFET
電源電流：0.035 mA
工廠包裝數量：2500
最小工作溫度：- 40 C
最小雙重電源電壓：+/- 3.5 V
最大雙重電源電壓：+/- 18 V
增益帶寬生成：5.8 MHz
包裝形式：Reel
最大工作溫度：+ 85 C
關閉：No
轉換速度：10 V/us
封裝形式：SOIC-8
安裝風格：SMD/SMT
工作電源電壓：7 V to 36 V, +/- 3.5 V to +/- 18 V
輸入偏流（最大值）：2 nA
輸入補償電壓：3.1 mV
共模抑制比（最小值）：65 dB
通道數量：1
RoHS：是
產品種類：運算放大器 - 運放
制造商：Texas Instruments

以上是TLE2161IDR的詳細信息，包括TLE2161IDR廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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