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TK39J60W5,S1VQ

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-3P-3,SC-65-3
數(shù)量:
 8234  
說明:
 MOSFET N-Ch 38.8A 270W FET 600V 4100pF 135nC
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TK39J60W5,S1VQ-TO-3P-3,SC-65-3圖片

TK39J60W5,S1VQ PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:200 ns
上升時間:50 ns
功率耗散:270 W
最小工作溫度:- 55 C
柵極電荷 Qg:110 nC
下降時間:9 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-3P
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.055 Ohms
漏極連續(xù)電流:38.8 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
制造商:Toshiba

以上是TK39J60W5,S1VQ的詳細信息,包括TK39J60W5,S1VQ廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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