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TK31J60W,S1VQ

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3P（N）
數量：: 8118
說明：: MOSFET N-Ch 30.8A 230W FET 600V 3000pF 86nC

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TK31J60W,S1VQ PDF參數資料

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中文參數如下：

功率耗散：230 W
柵極電荷 Qg：105 nC
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-3P
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.088 Ohms
漏極連續電流：30.8 A
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
制造商：Toshiba

以上是TK31J60W,S1VQ的詳細信息，包括TK31J60W,S1VQ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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