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中文參數(shù)如下:
功率耗散:60 W
柵極電荷 Qg:29 nC
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):14 Ohms
漏極連續(xù)電流:25 A
汲極/源極擊穿電壓:60 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:Toshiba
以上是TK25E06K3,S1X(S的詳細信息,包括TK25E06K3,S1X(S廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!