色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > TK16H60C(Q)

TK16H60C(Q)

廠家：: Toshiba
封裝：: TO-3P(W)
數量：: 387
說明：: MOSFET MOSFET N-Ch 600V 16A Rdson=0.4Ohm

一、本商品被瀏覽0次.

TK16H60C(Q) PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：20
上升時間：60 ns
功率耗散：150 W
下降時間：50 ns
包裝形式：Bulk
封裝形式：TO-3P(W)
安裝風格：Through Hole
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.4 Ohms
漏極連續電流：16 A
閘/源擊穿電壓：30 V
汲極/源極擊穿電壓：600 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Toshiba

以上是TK16H60C(Q)的詳細信息，包括TK16H60C(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：