點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
：150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：130W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：1300 pF @ 300 V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：40 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 690μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：300 毫歐 @ 6.9A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：13.7A（Ta）
漏源電壓（Vdss）：650 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態：在售
包裝：DTMOSIV
系列：卷帶（TR）,剪切帶（CT）,Digi-Reel? 得捷定制卷帶
品牌：Toshiba Semiconductor and Storage
以上是TK14G65W5,RQ的詳細信息，包括TK14G65W5,RQ廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
