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TK09H90A(Q)

廠家:
  Toshiba
封裝:
 TO-3P(W)
數量:
 333  
說明:
 MOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm
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TK09H90A(Q) PDF參數資料

中文參數如下:

工廠包裝數量:20
上升時間:25 ns
功率耗散:150 W
下降時間:20 ns
包裝形式:Bulk
封裝形式:TO-3P(W)
安裝風格:Through Hole
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):1.3 Ohms
漏極連續電流:9 A
閘/源擊穿電壓:30 V
汲極/源極擊穿電壓:900 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:Toshiba

以上是TK09H90A(Q)的詳細信息,包括TK09H90A(Q)廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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