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SUP90N10-8M8P-E3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-263
數(shù)量：: 3861
說明：: MOSFET 100V 90A 300W

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SUP90N10-8M8P-E3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

典型關閉延遲時間：34 ns
工廠包裝數(shù)量：500
上升時間：17 ns
功率耗散：3.75 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：9 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.0088 Ohms
漏極連續(xù)電流：90 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：100 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產(chǎn)品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUP90N10-8M8P-E3的詳細信息，包括SUP90N10-8M8P-E3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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