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中文參數如下：

典型關閉延遲時間：25 ns
工廠包裝數量：2000
上升時間：10 ns
功率耗散：9.5 W
最小工作溫度：- 55 C
下降時間：12 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-252-3
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 175 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：9.5 mOhms
漏極連續電流：20 A
閘/源擊穿電壓：+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓：20 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：Vishay

以上是SUD50N02-09P-E3的詳細信息，包括SUD50N02-09P-E3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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