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SUD45P03-09-GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63
數(shù)量：: 6741
說明：: MOSFET P-CH D-S 30V DPAK

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SUD45P03-09-GE3 PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下：

FET 型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
FET 特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)型
開態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：8.7 毫歐 @ 20A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：30V
電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C：45A
Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）：2.5V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：90nC @ 10V
在 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss) ：2700pF @ 15V
功率 - 最大：2.1W
安裝類型：表面貼裝

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