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SUD35N10-26P-T4GE3

廠家：: Vishay/Siliconix
封裝：: TO-252AA
數量：: 2538
說明：: MOSFET N-CH D-S 100V TO252

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SUD35N10-26P-T4GE3 PDF參數資料

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中文參數如下：
FET 型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 特點：標準型
開態Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C：26 毫歐 @ 12A, 10V
漏極至源極電壓(Vdss)：100V
電流 - 連續漏極(Id) @ 25° C：35A
Id 時的 Vgs(th)（最大）：4.4V @ 250µA
閘電荷(Qg) @ Vgs：47nC @ 10V
在 Vds 時的輸入電容(Ciss) ：2000pF @ 12V
功率 - 最大：83W
安裝類型：表面貼裝

以上是SUD35N10-26P-T4GE3的詳細信息，包括SUD35N10-26P-T4GE3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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