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STSJ100NHS3LL

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 8-SOIC-EP
數(shù)量:
 4563  
說明:
 MOSFET N Ch 30V 0.0032Ohm 20A Pwr
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STSJ100NHS3LL-8-SOIC-EP圖片

STSJ100NHS3LL PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時間:68 ns
工廠包裝數(shù)量:2500
上升時間:45 ns
功率耗散:70 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:8 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerPAK SO-8
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single Quad Drain Triple Source
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.005 Ohms
漏極連續(xù)電流:20 A
閘/源擊穿電壓:+/- 16 V
汲極/源極擊穿電壓:30 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STSJ100NHS3LL的詳細信息,包括STSJ100NHS3LL廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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