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STP9NB50

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-220
數量：: 7578
說明：: MOSFET RO 512-FQP9N50

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STP9NB50 PDF參數資料

中文參數如下：

工廠包裝數量：50
上升時間：11 ns
功率耗散：125 W
最小工作溫度：- 65 C
下降時間：11 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：TO-220
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：0.85 Ohms
漏極連續電流：8.6 A
閘/源擊穿電壓：+/- 30 V
汲極/源極擊穿電壓：500 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：否
制造商：STMicroelectronics

以上是STP9NB50的詳細信息，包括STP9NB50廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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