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中文參數(shù)如下:
功率耗散:70 W
柵極電荷 Qg:14 nC
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):1.95 Ohms
漏極連續(xù)電流:3.8 A
閘/源擊穿電壓:3 V
汲極/源極擊穿電壓:620 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STP4N62K3的詳細(xì)信息,包括STP4N62K3廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!