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STP30NM60ND

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-220-3
數(shù)量:
 5067  
說明:
 MOSFET N-channel 600V, 25A FDMesh II
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STP30NM60ND-TO-220-3圖片

STP30NM60ND PDF參數(shù)資料

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中文參數(shù)如下:

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:110 ns
上升時(shí)間:50 ns
功率耗散:190 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時(shí)間:75 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-247
安裝風(fēng)格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.13 Ohms
漏極連續(xù)電流:25 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STP30NM60ND的詳細(xì)信息,包括STP30NM60ND廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

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