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STP21NM60N

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-220-3
數量:
 4797  
說明:
 MOSFET N-Ch 600 V 0.18 Ohm 16 A 2nd Gen MDmesh
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STP21NM60N-TO-220-3圖片

STP21NM60N PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:84 ns
工廠包裝數量:50
上升時間:15 ns
功率耗散:140 W
最小工作溫度:- 55 C
正向跨導 gFS(最大值/最小值) :12 S
下降時間:31 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 150 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.19 Ohms
漏極連續電流:17 A
閘/源擊穿電壓:+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STP21NM60N的詳細信息,包括STP21NM60N廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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