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STP180N55F3

廠家:
  STMicroelectronics
封裝:
 TO-220-3
數量:
 4536  
說明:
 MOSFET N Ch 600V 6A Hyper fast IGBT
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STP180N55F3-TO-220-3圖片

STP180N55F3 PDF參數資料

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中文參數如下:

典型關閉延遲時間:110 ns
工廠包裝數量:1000
上升時間:150 ns
功率耗散:330 W
最小工作溫度:- 55 C
下降時間:50 ns
包裝形式:Tube
封裝形式:TO-220
安裝風格:Through Hole
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):0.0038 Ohms
漏極連續電流:120 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:55 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics

以上是STP180N55F3的詳細信息,包括STP180N55F3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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