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中文參數(shù)如下:
上升時(shí)間:10 ns
功率耗散:4 W
柵極電荷 Qg:14 nC
下降時(shí)間:12 ns
包裝形式:Reel
封裝形式:PowerFLAT 5x5
安裝風(fēng)格:SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.805 Ohms
漏極連續(xù)電流:5.8 A
閘/源擊穿電壓:25 V
汲極/源極擊穿電壓:600 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產(chǎn)品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STL7NM60N的詳細(xì)信息,包括STL7NM60N廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!