色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > MOSFET > STL17N60M6

STL17N60M6

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: PowerFlat?（8x8）HV
數(shù)量：: 3726
說明：: MOSFET N-CH 600V 10A PWRFLAT HV

一、本商品被瀏覽0次.

STL17N60M6 PDF參數(shù)資料

點擊下載PDF參數(shù)資料
中文參數(shù)如下：
：-55°C ~ 150°C（TJ）
功率耗散（最大值）：90W（Tc）
FET 功能：-
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：575 pF @ 100 V
Vgs（最大值）：±25V
不同 Vgs 時柵極電荷?(Qg)（最大值）：16.7 nC @ 10 V
不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：4.75V @ 250μA
不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：350 毫歐 @ 6A，10V
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：10A（Tc）
漏源電壓（Vdss）：600 V
技術：MOSFET（金屬氧化物）
FET 類型：N 通道
產品狀態(tài)：在售
包裝：MDmesh? M6
系列：卷帶（TR）
品牌：STMicroelectronics

以上是STL17N60M6的詳細信息，包括STL17N60M6廠家代理聯(lián)系方式、PDF參數(shù)資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET IGBT 晶體管開關晶體管 - 偏壓電阻器

MOSFET最新產品：