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中文參數如下：
典型關閉延遲時間：60 ns
上升時間：12 ns
功率耗散：160 W
最小工作溫度：- 55 C
柵極電荷 Qg：83 nC
下降時間：16 ns
包裝形式：Tube
封裝形式：I2PAK-3
安裝風格：Through Hole
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：98 mOhms
漏極連續電流：27 A
閘/源擊穿電壓：+/- 25 V
汲極/源極擊穿電壓：650 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics
以上是STI35N65M5的詳細信息，包括STI35N65M5廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
