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中文參數如下：
上升時間：180 ns
功率耗散：300 W
柵極電荷 Qg：110 nC
下降時間：45 ns
包裝形式：Reel
封裝形式：H2PAK
安裝風格：SMD/SMT
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.4 mOhms
漏極連續電流：180 A
閘/源擊穿電壓：20 V
汲極/源極擊穿電壓：40 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics
以上是STH270N4F3-6的詳細信息，包括STH270N4F3-6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!
