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中文參數如下:
功率耗散:315 W
最小工作溫度:- 55 C
包裝形式:Reel
封裝形式:H2PAK-6
安裝風格:SMD/SMT
最大工作溫度:+ 175 C
配置:Single
電阻汲極/源極 RDS(導通):4.5 mOhms
漏極連續電流:180 A
閘/源擊穿電壓:+/- 20 V
汲極/源極擊穿電壓:100 V
晶體管極性:N-Channel
RoHS:是
產品種類:MOSFET
制造商:STMicroelectronics
以上是STH180N10F3-6的詳細信息,包括STH180N10F3-6廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!