色爱av综合网_色女人在线视频_男男gaygays亚洲_日本高清久久一区二区三区

<strike id="4a642"></strike>

首頁 > 電子元件分類 > 半導體 > 分離式半導體 > 晶體管 > IGBT 晶體管 > STGP4M65DF2

STGP4M65DF2

廠家：: STMicroelectronics
封裝：: TO-220
數量：: 7605
說明：: IGBT M SERIES 650V 4A LOW LOSS

一、本商品被瀏覽0次.

STGP4M65DF2 PDF參數資料

點擊下載PDF參數資料
中文參數如下：
封裝封裝/外殼：TO-220-3
安裝類型：通孔
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
反向恢復時間 (trr)：133 ns
測試條件：400V，4A，47 歐姆，15V
25°C 時 Td（開/關）值：12ns/86ns
柵極電荷：15.2 nC
輸入類型：標準
開關能量：40μJ（開），136μJ（關）
功率 - 最大值：68 W
不同?Vge、Ic 時?Vce(on)（最大值）：2.1V @ 15V，4A
電流 - 集電極脈沖 (Icm)：16 A
電流 - 集電極 (Ic)（最大值）：8 A
電壓 - 集射極擊穿（最大值）：650 V
IGBT 類型：溝槽型場截止
產品狀態：在售
包裝：M
系列：管件
品牌：STMicroelectronics

以上是STGP4M65DF2的詳細信息，包括STGP4M65DF2廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

其他晶體管產品：

達林頓晶體管兩極晶體管 - BJT JFET 開關晶體管 - 偏壓電阻器 IGBT 模塊

IGBT 晶體管最新產品：

FS150R12KT4B9BOSA1

F3L400R10W3S7FB11BPSA1

FS3L200R10W3S7FB11BPSA1

FS150R12PT4BOSA1

FP75R12KT3BOSA1

IFF300B12ME4PB11BPSA1

FP75R12KT4B15BOSA1

FS75R12KT3GBOSA1