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中文參數如下：

功率耗散：70 W
柵極電荷 Qg：14 nC
包裝形式：Reel
封裝形式：TO-263
安裝風格：SMD/SMT
最大工作溫度：+ 150 C
配置：Single
電阻汲極/源極 RDS（導通）：1.95 Ohms
漏極連續電流：3.8 A
閘/源擊穿電壓：3 V
汲極/源極擊穿電壓：620 V
晶體管極性：N-Channel
RoHS：是
產品種類：MOSFET
制造商：STMicroelectronics

以上是STD4N62K3的詳細信息，包括STD4N62K3廠家代理聯系方式、PDF參數資料、圖片等信息!

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